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西門(mén)康IGBT的現(xiàn)狀分析

日期：2025-12-15 15:38

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摘要：

國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求急劇上升曾使得西門(mén)康IGBT市場(chǎng)一度被看好。雖然長(zhǎng)期來(lái)看，IGBT是一個(gè)值得期待的市場(chǎng)，可是到目前為止IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)為大多數(shù)歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，本土廠商想要打破國(guó)外企業(yè)對(duì)國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)壟斷，還需要很多努力。并且隨著各國(guó)政府都將削減可再生能源及交通等領(lǐng)域的支出，IGBT市場(chǎng)能否再度增長(zhǎng)?

根據(jù)*新的調(diào)查報(bào)告顯示，各種IGBT器件和模塊的銷售額在2013年將有一定程度的復(fù)蘇，2014年稍稍減速，待經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇并穩(wěn)定后，從2015年開(kāi)始將穩(wěn)定增長(zhǎng)。雖然2013年IGBT市場(chǎng)增長(zhǎng)趨勢(shì)有所下降，但隨著國(guó)內(nèi)技術(shù)的進(jìn)步，其發(fā)展前景還是十分被看好的。

西門(mén)康IGBT是BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）復(fù)合器件，是業(yè)界公認(rèn)的，發(fā)展*迅速的新型功率器件。IGBT和晶閘管等傳統(tǒng)器件，雖然都是“開(kāi)關(guān)”，但前者的核心優(yōu)勢(shì)在于，驅(qū)動(dòng)功率小，飽和壓降低，開(kāi)關(guān)頻率極高，這些都是各應(yīng)用領(lǐng)域所迫切需求的，現(xiàn)階段IGBT的缺點(diǎn)在于成本尚高，所以在成本允許的應(yīng)用中，IGBT已開(kāi)始替換傳統(tǒng)功率器件。IGBT廣泛以用于變頻器、逆變器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路和電機(jī)等領(lǐng)域，貫穿消費(fèi)電子和工業(yè)控制等領(lǐng)域。

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