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IGBT模塊的常識(shí)
日期：2025-12-16 05:36
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摘要：
IGBT管是絕緣柵雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的簡(jiǎn)稱(chēng)，它是80年代初誕生，90年代迅速發(fā)展起來(lái)的新型復(fù)合電力電子器件IGBT管是由MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管和BJT雙極型晶體管復(fù)合而成的，其輸入級(jí)為MOSFET，輸出級(jí)為PNP型大功率三極管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件輸入阻抗高 響應(yīng)速度快 熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件通態(tài)電壓低 耐壓高和輸出電流大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOS-FET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位IGBT管的開(kāi)通和關(guān)斷是由柵極電壓來(lái)控制IGBT管的。當(dāng)柵極加正電壓時(shí)，OSFET內(nèi)形成溝道，并為PNP晶體管提供基極電流，從而使IGBT管導(dǎo)通，此時(shí)高耐壓的IGBT管也具有低的通態(tài)壓降 在柵極上加負(fù)電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT管即關(guān)斷 IGBT管與MOSFET一樣也是電壓控制型器件，在它的柵極發(fā)射極間施加十幾伏的直流電壓，只有微安級(jí)的漏電流，基本上不消耗功率，顯示了輸入阻抗大的優(yōu)點(diǎn)。
二、IGBT管的代換
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài)，工作頻率較高，發(fā)熱量大，因此其故障率較高，又由于其價(jià)格較高，故代換IGBT管時(shí)，應(yīng)遵循以下原則：首先，盡量用原型號(hào)的代換，這樣不僅利于固定安裝，也比較簡(jiǎn)便 其次，如果沒(méi)有相同型號(hào)的管子，可用參數(shù)相近的IGBT管來(lái)代換，一般是用額定電流較大的管子代替額定電流較小的，用高耐壓的代替低耐壓的，如果參數(shù)已經(jīng)磨掉，可根據(jù)其額定功率來(lái)代換。
三、IGBT管的保存
保存半導(dǎo)體元件的場(chǎng)合溫度與濕度應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大 一般地，常溫規(guī)定為5~35攝氏度 ，常濕規(guī)定為45％~75％ 在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕裝IGBT管模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器并盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。
二、IGBT管的代換
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài)，工作頻率較高，發(fā)熱量大，因此其故障率較高，又由于其價(jià)格較高，故代換IGBT管時(shí)，應(yīng)遵循以下原則：首先，盡量用原型號(hào)的代換，這樣不僅利于固定安裝，也比較簡(jiǎn)便 其次，如果沒(méi)有相同型號(hào)的管子，可用參數(shù)相近的IGBT管來(lái)代換，一般是用額定電流較大的管子代替額定電流較小的，用高耐壓的代替低耐壓的，如果參數(shù)已經(jīng)磨掉，可根據(jù)其額定功率來(lái)代換。
三、IGBT管的保存
保存半導(dǎo)體元件的場(chǎng)合溫度與濕度應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大 一般地，常溫規(guī)定為5~35攝氏度 ，常濕規(guī)定為45％~75％ 在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機(jī)加濕裝IGBT管模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器并盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。
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