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IGBT模塊的優(yōu)點(diǎn)
日期：2025-12-05 22:39
瀏覽次數(shù)：2917
摘要：
IGBT模塊是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種元件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種元件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET元件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型元件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管中間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、**率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E中間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極C與基極中間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極中間電壓為0V，則MOS 截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型元件，在它的柵極G—發(fā)射極E間施加十幾V的直流電壓，只有在uA級(jí)的漏電流流過，基本上不消耗功率。
尊敬的客戶： 您好！北京昊天成科技有限公司是一支技術(shù)力量雄厚的高素質(zhì)的開發(fā)群體。你當(dāng)前所在頁面是GBT模塊產(chǎn)品，如果你對(duì)該產(chǎn)品感興趣的話，可以撥打我們的服務(wù)專線了解更多相關(guān)產(chǎn)品的詳細(xì)信息，我們將竭盡全力的為您服務(wù),主要產(chǎn)品有：BUSSMANN、BUSSMANN熔斷器、西門康IGBT等。
